Импортные поставки в Россию Доставка груза до дверей Поиск поставщиков США

Введите название товара, мы подберем для вас поставщика

🇺🇸 Транзисторы Полупроводниковые поставщики и импорт из США

Импорт транзисторов полупроводниковых в США от поставщиков: логистика по жд, автомобилеям, морем, авиакарго. Посчитать таможенные платежи при ввозе транзисторов полупроводниковых, информация о разрешительных документах

Транзисторы Полупроводниковые заводы и фабрики в США

Транзисторы Полупроводниковые находятся множество фабрик и заводов, специализирующихся на производстве транзисторов полупроводниковых. Эти современные производственные объекты оснащены передовыми технологиями и высокоточным оборудованием, позволяющим создавать транзисторы полупроводниковые.

Выбрать ПроизводителяПоставкиПоставка Incoterms 2020Рейтинг
INTERNATIONAL RECTIFIERМОП-ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 75 ВТ. КОНСТРУКТИВНО ИЗДЕЛИЕ ВЫПОЛНЕНО В КОРПУСЕ SMD-0,5.ПРИМЕНЯЮТСЯ В БОРТОВОМ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОМ КОМПЛЕКСЕ ТЕЛЕРАДИОВЕЩАТЕЛЬНОГО СПУТНИКА "ЭКСПРЕСС" CPT ⭐⭐⭐⭐⭐
INTERNATIONAL RECTIFIERПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ - ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 75ВТ СТАНДАРТНО УПАКОВАНО ПО 100 ШТ.: МОД. IRG4PSC71UPBF - 70 ШТ; CPT ⭐⭐⭐⭐⭐
КРИИ РФТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ДЛЯ УСТАНОВКИ НА ПЛАТЫ ПРОГРАММИРУЕМЫХ КОНТРОЛЛЕРОВ (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ),СМ. ДОПОЛНЕНИЕ ВСЕГО 10 ШТ ТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МОДЕЛЬ CGH40045F-5 ШТ; МОДЕЛЬ CGH40120F-5 ШТ. CPT ⭐⭐⭐⭐⭐
FAIRCHILDБИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 290ВТ, ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ В БЛОКАХ БЫТОВОЙ ТЕХНИКИ, В КОРПУСАХ TO247, МОД. HUF75344МОД. FGH40N60SFTU - 8ШТ. CPT ⭐⭐⭐⭐
INTERNATIONAL RECTIFIERТРАНЗИСТОРЫ: ИТОГО:20 ПР.ЕД. CPT ⭐⭐⭐
APS TECHNOLOGYСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛАТА УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ ПУЛЬСАТОРА ТЕЛЕМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ, НА ИЗОЛИРУЮЩЕЙ ПОДЛОЖКЕ УСТАНОВЛЕНЫ СЛЕДУЮЩИЕ АКТИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ - МИКРОСХЕМЫ СБИС, ТРАНЗИСТОРЫ, ДИОДЫ; ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ - FCA ⭐⭐⭐
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPТРАНЗИСТОРЫ: ИТОГО:5ПР.ЕД. EXW ⭐⭐⭐
INFINEON TECHNOLOGIES AGТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ, ГЕНЕРИРОВАНИЯ И ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 50ВТ: (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ) CPT ⭐⭐⭐
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ: ИТОГО:1300ПР.ЕД. EXW ⭐⭐⭐
INTEGRA TECHNOLOGIESТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ВЫХОДНЫХ КАСКАДАХ ИМПУЛЬСНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ,МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 100 ВТ МОДЕЛЬ IB3256(1000ШТ),МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 150ВТ МОДЕ CPT ⭐⭐⭐
FAIRCHILD SEMICONDUCTORПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 255ВТ, ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ В БЛОКАХ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ, В КОРПУСАХ TO220,МОД. FDP3651U - 2ШТ. CPT ⭐⭐⭐
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ: ИТОГО:120ПР.ЕД. EXW ⭐⭐⭐
MICROSEMI CORPORATIONТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ, ГЕНЕРИРОВАНИЯ И ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ТИП ПОЛУПРОВОДНИКА - ОКСИД КРЕМНИЯ (SIO2). МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ 330ВТ,НЕ ЛОМ ЭЛ/ОБОРУД.: CPT ⭐⭐⭐
ON SEMICONDUCTOR DIVISION OF MOTOROLAТРАНЗИСТОРЫ: ИТОГО:30ПР.ЕД. EXW ⭐⭐⭐
INTERNATIONAL RECTIFIERРАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ СО СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ JANSR2N7270U-20 ШТ.,С УРОВНЯМИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПО СУММАРНОЙ ДОЗЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ВОЗДЕЙСТВИЯ 100 КРАД (SI) С МАКСИМАЛЬНОЙ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 150ВТ ИС EXW ⭐⭐⭐
M/A - COM TECHNOLOGY SOLUTIONSТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ, ГЕНЕРИРОВАНИЯ И ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ТИП ПОЛУПРОВОДНИКА - ОКСИД КРЕМНИЯ (SIO2). МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ 128ВТ,НЕ ЛОМ ЭЛ/ОБОРУД.,МОД.M/A-COM: CPT ⭐⭐⭐
ИНТЕРНЕШЕНЛ РЕКТИФАЕРСВОДНЫЙ ПАКЕТ ДАННЫХ - 2 КОМПЛЕКТА ВКЛЮЧАЮТ В СЕБЯ ЭЛЕКТРОННЫЕ ВЕРСИИ ДОКУМЕНТОВ КАЧЕСТВА НА ТРАНЗИСТОРЫ IRHMS67264SCS И JANSR2N7269U ТАКИЕ КАК ПРОТОКОЛЫ ИСПЫТАНИЙ, АКТЫ СЛУЖБЫ ТЕХНИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ СМ. ДОПОЛНЕНИЕ ИЗГОТОВИ EXW ⭐⭐⭐
TRIQUINT SEMICONDUCTORПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 2ВТ: МОД. TRIQ, С/Н FP2189TR-G - 1000ШТ EXW ⭐⭐⭐
ФАИРЧАЙЛД СЕМИКОНДАКТОРЗТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ДЛЯ УСТАНОВКИ НА ПЛАТЫ ПРОГРАММИРУЕМЫХ КОНТРОЛЛЕРОВ (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ),СМ. ДОПОЛНЕНИЕ ВСЕГО 6000 ШТ ТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МОДЕЛЬ BSS138-6000 ШТ., ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ПРИМЕН CPT ⭐⭐⭐
DANFOSS DRIVES DIVISION OF DANFOSS LLCТРАНЗИСТОРЫ, НЕ ФОТОТРАНЗИСТОРЫ : DAP ⭐⭐⭐
NITRONEX CORPORATIONТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ, ГЕНЕРИРОВАНИЯ И ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ, МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ 125ВТ: (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ) CPT ⭐⭐⭐
TOSHIBAТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССИВАНИЯ БОЛЕЕ 1 ВТ: CPT ⭐⭐
VISHAYПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 74ВТ, ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ В БЛОКАХ БЫТОВОЙ ТЕХНИКИ, В КОРПУСАХ TO262,МОД. IRFBC30ALPBF - 2ШТ. CPT ⭐⭐
NITRONEX CORPORATIONТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ, ГЕНЕРИРОВАНИЯ И ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ТИП ПОЛУПРОВОДНИКА - ОКСИД КРЕМНИЯ (SIO2), НЕ ЛОМ ЭЛ/ОБОРУД.,МОД.NITRONEX: CPT ⭐⭐
INTEGRA TECHNOLOGIESТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ, ТИП ПОЛУПРОВОДНИКА N-P-N: МОДЕЛЬ IB3256, МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ 100 ВТ /1000 ШТ/; МОДЕЛЬ IB0810M210, МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ 210 ВТ /100 ШТ/; МОДЕЛЬ IB0810M100, МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ CPT ⭐⭐
RICHARDSON ELECTRONICSПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 31.25ВТ ДЛЯ РАДИОСВЯЗИ, МОДЕЛЬ "FRS", П/Н MRF1513NT1-10ШТ; ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 6.1ВТ ДЛЯ РАДИОСВЯЗИ, МОДЕЛЬ "FRS", П/Н MRF6V2010NBR5-60ШТ: CPT ⭐⭐
CRYSTALONICS OF NEW YORKТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ: ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИИ БЛОКОВ ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ АНАЛОГОВЫХ СИГНАЛОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В УСТАНОВКАХ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ. НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ EXW ⭐⭐
FSCТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА В СИСТЕМАХ ПРОМЫШЛЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ ОТ 0,2ВТ ДО 0,33ВТ: АРТ.BSS123-6000ШТ; FCA ⭐⭐
IXYS CORPЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ: ТРАНЗИСТОРЫ, ДЛЯ МОНТАЖА В ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЛАТЫ CPT ⭐⭐
ON SEMICONDUCTOR DIVISION OF MOTOROLAТРАНЗИСТОРЫ, МЕНЕЕ 1 ВТ: ИТОГО:17ПР.ЕД. EXW ⭐⭐
NTE ELECTRONICS INCТРАНЗИСТОРЫ: ИТОГО:2 ПР.ЕД. CPT ⭐⭐
SEMELABТРАНЗИСТОРЫ, ТИП MOSFET 28V, 5W, 1MHZ-1GHZ SINGLE-EDDED RF: CPT ⭐⭐
КРИТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ДЛЯ УСТАНОВКИ НА ПЛАТЫ ПРОГРАММИРУЕМЫХ КОНТРОЛЛЕРОВ (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ), ВСЕГО 100 ШТ, СМ. ДОПОЛНЕНИЕ ТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МОДЕЛЬ CGHV1J006D-100 ШТ., ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ПР CPT ⭐⭐
EBV ELEKTRONIKПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 0,25ВТ; МОДЕЛЬ "AVA", П/Н ATF-36077-TR1-1000ШТ; МОДЕЛЬ "NXP", П/Н PDTC114ET.235-10000ШТ; МОДЕЛЬ "IFX", П/Н BF998E6327-21000ШТ. CPT ⭐⭐
EBV ELEKTRONIKПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 20ВТ, МОДЕЛЬ "FAI", П/Н MJD44H11TF-2000ШТ/СМ.ДОПОЛНЕНИЕ: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 3.2ВТ, МОДЕЛЬ "NXP", П/Н BLS6G2731S-120.112-30ШТ; ПОЛУПРОВО CPT ⭐⭐
NXP SEMICONDUCTORSЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ: ТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1ВТ, ДЛЯ МОНТАЖА В ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЛАТЫ CPT ⭐⭐
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPТРАНЗИСТОРЫ: ИТОГО:3ПР.ЕД. EXW ⭐⭐
TRIQUINT SEMICONDUCTORТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 0.5ВТ, ДЛЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ: (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ) CPT ⭐⭐
TYCO ELECTRONICSТРАНЗИСТОРЫ,С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 40,150 ВТ : ШИРОКОПОЛОСНЫЕ N-КАНАЛЬНЫЕ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ, ДЛЯ БЕСПРОВОДНЫХ СРЕДСТВ СВЯЗИ ГРАЖДАНСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ,НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 28 В, НЕ ОТХОДЫ CPT ⭐⭐
INTEGRA TECHТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 15ВТ ДЛЯ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ МОДЕЛИ MPAL2731M15-25ШТ, МОЩНОСТЬЮ 30ВТ МОДЕЛИ MPAL2731M30-11ШТ FCA ⭐⭐
BEREXТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1ВТ, ТМ "BEREX", МОД. ВСР160Т -200ШТ; ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ШИРОКОПОЛОСНЫХ РАДИОСТАНЦИЯХ. CPT ⭐⭐
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORPТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ: ИТОГО:3000 ПР.ЕД. CPT ⭐⭐
INFINEON TECHNOLOGIES AG SIEMENS SEMICONDUCTORSТРАНЗИСТОРЫ: ИТОГО:2 ПР.ЕД. CPT ⭐⭐
DIODES INCORPORATEDТРАНЗИСТОРЫ, (КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ), ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ СБОРКИ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЛАТ, НЕ ЯВЛЯЮТСЯ ЛОМОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ ИЛИ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИХ УЗЛОВ, МАР-КА 670-10487083: ХАРАКТЕРИСТИКИ ИП УПРАВЛЯЮЩЕГО КАНАЛА: N-CHANNEL CPT ⭐⭐
MICROSEMI CORPORATIONТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ МОНТАЖА НА ПЕЧАТНЫХ ПЛАТАХ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ CPT ⭐⭐
LENZE AC TECH CORPORATIONТРАНЗИСТОРЫ, КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1 ВТ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПРОМЫШЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЕЙ ОТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЕРЕГРУЗОК: EXW ⭐⭐
TEXAS INSTRUMENTSТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ: ИТОГО:9ПР.ЕД. EXW ⭐⭐
MORPHO DETECTION INCПЕЧАТНАЯ ПЛАТА СИСТЕМЫ РЕКОНСТРУКЦИИ ИЗОБРАЖЕНИЯ С АКТИВНЫМИ ЭЛЕКТРОННЫМИ КОМПОНЕНТАМИ (ТРАНЗИСТОРЫ, ДИОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МОДУЛИ), ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО В СИСТЕМЕ ДОСМОТРА БАГАЖА СТХ 9800, ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ У DAP ⭐⭐
TRIQUINTТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ, ПОЛЕВЫЕ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1ВТ - ДИСКРЕТНЫЙ 2.4ММ, ЧАСТОТА 0-20ГГЦ, ВЫХ. МОЩН. 34DBM ПРИ КОЭФ. УСИЛЕНИЯ ПО МОЩН. 13DB, ИМЕЕТ ЗАЩИТНЫЙ СЛОЙ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ НАП CPT ⭐⭐
INFINEON INCТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ (НЕ ЯВЛЯЮТСЯ ФОТОТРАНСЗИСТОРАМИ), С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ; СЕРИЯ IGBT; МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1 ВТ; НА НАПРЯЖЕНИЕ 1200 ВОЛЬТ; НА РАЗНУЮ СИЛУ ТОКА - 1)800А, АРТИКУЛ 100494490 - 54ШТ; 2)600А, АРТ ⭐⭐
BEREXТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1ВТ, ТМ "BEREX", ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫЕ, НА ОСНОВЕ GAAS - МОД. ВСР120Т -200ШТ, МОД. ВСР080Т2 -600ШТ; ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ШИРОКОПОЛОСНЫХ УСИЛИТЕЛЯ CPT ⭐⭐
ONSБИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 0.625ВТ, ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ В БЛОКАХ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ, В КОРПУСАХ TO226, МОД. MPS2222AG - 25ШТ. CPT ⭐⭐
NTE ELECTRONICSБИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 35ВТ, ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ В БЛОКАХ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ, В КОРПУСАХ ТО66,МОД. 2N3585 - 1ШТ. CPT ⭐⭐
INTERNATIONALПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 150ВТ, ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ В БЛОКАХ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ, В КОРПУСАХ TO204, МОД. 2N6770 - 10ШТ. CPT ⭐⭐
ROHMТРАНЗИСТОРЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ, ПОУПРОВОДНИК N-P-N,МАКС.ТОК 50 МИЛИАМПЕР РАБОЧЕЕ НАПР.18 ВОЛЬТ,МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ 0.2 ВАТТ,ЧАСТОТА ДО 1.5 ГГЦ: CPT ⭐⭐
INTERNATIONAL RECTIFIERПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 75 ВТ:МОДЕЛЬ IRHNJ67134- 15 ШТ.ПРИМЕНЯЕТСЯ В БОРТОВОМ СПУТНИКЕ УПРАВЛЕНИЯ ГОНЕЦ-Д1М. CPT ⭐⭐
IXYSТРАНЗИСТОРЫ, КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ: CPT ⭐⭐
TRIQUINT SEMICONDUCTORПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1ВТ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ, ЧАСТОТА ДО 18ГГЦ, ВЫХОДН. МОЩН. БОЛЕЕ 38DBM ПРИ КОЭФФ. УСИЛЕНИЯ ПО МОЩН. 18DB, НАПРЯЖ. СТОКА 40В, ДИАПАЗОН НАПРЯЖ ЗАТВОРА -50-0В - НА SIC, 6 ВТ ПРЕД CPT ⭐⭐
INTERNATIONAL RECTIFIER GMBHТРАНЗИСТОРЫ. МОДЕЛЬ IRF5M3415SCV - 50 ШТ. ИЗДЕЛИЕ ЯВЛЯЕТСЯ ТРАНЗИСТОРОМ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 125 ВТ. КОНСТРУКТИВНО ИЗДЕЛИЕ ВЫРОЛНЕНО В КОРПУСЕ TO-254АА ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, НЕ ЯВЛЯЕТСЯ ФОТОТРАНЗИСТОРОМ. ИЗДЕЛИЯ П CPT ⭐⭐
INTERNATIONAL RECTIFIERТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ: ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СЛАБОГО СИГНАЛА И МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ В УСТРОЙСТВАХ ИСТОЧНИКОВ БЕСПЕРЕБОЙНОГО ПИТАНИЯ, СВАРОЧНОГО ОБОРУДОВАНИЯ, СОЛНЕЧНЫХ ИНВЕРТОРОВ, В УСТРОЙСТВАХ FCA ⭐⭐
ТРАНЗИСТОРЫ, С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1ВТ, ЧАСТОТА 30 МГЦ DDU ⭐⭐
HYPERTHERMТРАНЗИСТОРЫ (НЕ ФОТОТРАНЗИСТОРЫ): УПАК. В КАРТ. КОР. НА ЧАСТИ ПАЛЛЕТЫ. DAP ⭐⭐
CRYSTALONICS OF NEW YORKТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ: ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЛОКОВ ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ АНАЛОГОВЫХ СИГНАЛОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В УСТАНОВКАХ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ, ВЫПУСКАЕМЫХ ПРЕДПРИЯТИЕМ ЗАО "УЛЬТРАК EXW ⭐⭐
MOUSER ELECTRONICSТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ : НЕ ЛОМ ЭЛКТРООБОРУДОВАНИЯ. DAP ⭐⭐
ON SEMICONDUCTOR DIVISION OF MOTOROLAТРАНЗИСТОРЫ: CPT ⭐⭐
ИНТЕРНЕЙШНЛ РЕКТИФАЕРТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ДЛЯ УСТАНОВКИ НА ПЛАТЫ ПРОГРАММИРУЕМЫХ КОНТРОЛЛЕРОВ (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ),ВСЕГО 550 ШТ ТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МОДЕЛЬ IRF4905L-350 ШТ; МОДЕЛЬ IRF4905LPBF-200 ШТ. CPT ⭐⭐
ИНТЕРНЕШЕНЛ РЕКТИФАЕРСВОДНЫЙ ПАКЕТ ДАННЫХ - 1 КОМПЛЕКТ. ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ЭЛЕКТРОННЫЕ ВЕРСИИ ДОКУМЕНТОВ КАЧЕСТВА НА ТРАНЗИСТОРЫ IRHMS67164SCS ТАКИЕ КАК: ПРОТОКОЛЫ ИСПЫТАНИЙ, АКТЫ СЛУЖБЫ ТЕХНИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ИЗГОТОВИТЕЛЯ ДИОДОВ - INTERNATIONAL R EXW ⭐⭐
AVNET EUROPE COMM. VAТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 1ВТ МОД.IFX Н/П BFN18E6327-1000 ШТ, 125ВТ МОД. VIS Н/П IRFBE30PBF-100 ШТ: CPT ⭐⭐
AVAGO TECHNOLOGIES SEMICONDUCTORSПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ ОТ 0,180 ВТ ДО 0,500 ВТ: CPT ⭐⭐
DANFOSS DRIVES DIVISION OF DANFOSS INCПРОЧИЕ ТРАНЗИСТОРЫ, КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ DAP ⭐⭐
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ: ИТОГО:10000ПР.ЕД. EXW ⭐⭐
MOTOROLA SOLUTIONSТРАНЗИСТОРЫ, КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ, ДЛЯ РАДИОСТАНЦИИ, НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, СМ.ДОПОЛНЕНИЕ CPT ⭐⭐
ВИШЕЙТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ДЛЯ УСТАНОВКИ НА ПЛАТЫ ПРОГРАММИРУЕМЫХ КОНТРОЛЛЕРОВ (НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ), ВСЕГО 3000 ШТ, СМ. ДОПОЛНЕНИЕ ТРАНЗИСТОРЫ КЛЮЧЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МОДЕЛЬ SI3443BDV-T1-E3-3000 ШТ. CPT ⭐⭐
SEMELABПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ ОТ 175ВТ ДО 438ВТ: МОД. SEME, С/Н D1008UK - 16ШТ, С/H D1029UK - 6ШТ EXW ⭐⭐
ICOM INCПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 0.350ВАТТ ВТ ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ ЗВУКА , МОД. 1530002691, 710 ШТ; CPT ⭐⭐
ON SEMICONDUCTORТРАНЗИСТОРЫ, КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ АРТ: КОНФИГУРАЦИЯ: SINGLE; ПОЛЯРНОСТЬ ТРАНЗИСТОРА:NPN;ВИД МОНТАЖА:SMD/SMT; НАПРЯЖЕНИЕ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР (VCEO), МАКС.: 25 V; НАПРЯЖЕНИЕ ЭМИТТЕР-БАЗА (VEB CIP ⭐⭐
WOSTIMEXТРАНЗИСТОРЫ, КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 ВТ; НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ, ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В СФЕРЕ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ТРАНЗИСТОРЫ, МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ 1 BTWOSTIMEX01-303, 01-304, 01-306, 01-308, CPT ⭐⭐
VISHAY INTERTECHNOLOGY INCТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ: ИТОГО:80 ПР.ЕД. CPT ⭐⭐
INTERNATIONAL RECTIFIER INTERNATIONAL RECTIFIERПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ НА СИЛУ ТОКА 28 А CPT ⭐⭐
INTEGRA TECHNOLOGIESТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ:МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 210 ВТ,МАРК-КА IB0810M210(50ШТ),МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 100 ВТ,МАРК-КА IB0810M100(15ШТ),МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 800 ВТ,МАРК-КА IB1011M800(15ШТ),МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ 190 CPT ⭐⭐
TRIQUINT INCТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ 2.40ММ, С МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1ВТ - МОД. TGF2022-24 - 300ШТ. ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ШИРОКОПОЛОСНЫХ РАДИОСТАНЦИЯХ. CPT ⭐⭐
INTEGRA TECHNOLOGIES INCТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ: МОЩНОСТЬЮ 1000ВТ, МАРК-КА ILD1011M1000HV (8ШТ), МОЩНОСТЬЮ 160ВТ, МАРК-КА ILD1011M160HV (10ШТ), МОЩНОСТЬЮ 15ВТ, МАРК-КА ILD1011M15HV (8ШТ) CPT ⭐⭐

Инкотермс 2020, условия поставки

  1. FOB (Свободно на борту) - международный торговый термин, который означает, что продавец осуществляет доставку товара на борт судна в указанном порту отгрузки. С момента, когда товар находится на борту судна, ответственность и расходы переходят на покупателя.
  2. DAF (Поставка до пункта) - международный торговый термин, который означает, что продавец осуществляет доставку товара до указанного пункта в стране назначения. Дальнейшие расходы и риски переходят на покупателя после доставки.
  3. CPT (Стоимость и доставка до пункта) - международный торговый термин, который означает, что продавец осуществляет доставку товара до указанного пункта назначения и оплачивает стоимость доставки до этого пункта. Покупатель несет ответственность за риски и расходы после доставки.
  4. DAP (Поставка до места) - международный торговый термин, который означает, что продавец осуществляет доставку товара до указанного места назначения. Покупатель несет ответственность за разгрузку, риски и дополнительные расходы после доставки.
  5. CFR (Стоимость и фрахт) - международный торговый термин, который означает, что продавец осуществляет доставку товара до указанного порта назначения и оплачивает стоимость и фрахт до этого порта. Покупатель несет ответственность за страхование, разгрузку и дальнейшие расходы.
  6. CIP (Стоимость, страхование и доставка) - международный торговый термин, который означает, что продавец осуществляет доставку товара до указанного места назначения и оплачивает стоимость, страхование и доставку товара до этого места. Покупатель несет ответственность за риски и дополнительные расходы после доставки.
  7. DDU (Поставка без оплаты таможенных пошлин) - международный торговый термин, который означает, что продавец осуществляет доставку товара до указанного места назначения, но не несет ответственности за таможенные пошлины и налоги. Покупатель несет ответственность за оплату таможенных пошлин и налогов, а также за риски и расходы после доставки.
  8. EXW (С отгрузки) - международный торговый термин, который означает, что продавец предоставляет товар на своем предприятии или другом указанном месте. Покупатель несет ответственность за организацию доставки, страхование и все расходы и риски, связанные с доставкой товара.
  9. FCA (Свободный перевозчик) - международный торговый термин, который означает, что продавец осуществляет доставку товара до указанного места назначения, например, до указанного порта или аэропорта. Покупатель несет ответственность за выбор и оплату перевозчика, а также за риски и расходы после доставки.

Документы необходимы для импорта транзисторов полупроводниковых

Для импорта из из США, фабрике или поставщику необходимо сначала сделать процедуру экспорта. Для импорта вам необходимо подготовить документы основываясь на подобранном коде ТН ВЭД, проверьте какие вам документы нужны документы и подбор кода тн вэд

Очень важно узнать пошлины по каждому коду ТН ВЭД

Код ТН ВЭД

Код ТН ВЭД 2024НазваниеКоличество поставок (7 дней)
8541290000Прочие транзисторы, кроме фототранзисторов67
8541210000Транзисторы, кроме фототранзисторов мощностью рассеивания менее 1 Вт29
9022900000Прочая аппаратура, включая части и принадлежности, основанная на использовании рентгеновского, альфа-, бетаили гамма-излучений1
8542399099Схемы электронные интегральные прочие1

Популярные способы доставки транзисторов полупроводниковых в США

Российская ФедерацияСШАВидТаможня (таможенный пост)

Ближайшие грузовые аэропорты

Для перевозки образцов или небольших партий товар, обычно используется грузовые самолеты. Доставка из США в Москву занимает 3-4 дня

  1. Los Angeles International Airport
  2. New York John F. Kennedy International Airport
  3. Miami International Airport

Авиаперевозка между городами США - РОССИЯ

Дата Импорт из США, доставка на самолетеKm
30-04-2024New York (United States) - Moscow (Russia)7510
01-05-2024Los Angeles (United States) - Moscow (Russia)9769
02-05-2024Chicago (United States) - Moscow (Russia)8008
03-05-2024Miami (United States) - Moscow (Russia)9224
04-05-2024Dallas (United States) - Moscow (Russia)9264
05-05-2024Philadelphia (United States) - Moscow (Russia)7631
06-05-2024Houston (United States) - Moscow (Russia)9516
07-05-2024Washington (United States) - Moscow (Russia)7823
08-05-2024Atlanta (United States) - Moscow (Russia)8654
09-05-2024Boston (United States) - Moscow (Russia)7226

A PHP Error was encountered

Severity: Warning

Message: Illegal string offset 'country_name'

Filename: views/block-calc.php

Line Number: 4

Калькулятор расчета таможенных платежей транзисторов полупроводниковых - 30.04.2024 г.

Расчет с учетом ставки ввозной (импортной) таможенной пошлины для кода тн вэд 8541290000 страна импорта �

Производят так же:

Документы необходимы для импорта транзисторов полупроводниковых

Для импорта из из США, фабрике или поставщику необходимо сначала сделать процедуру экспорта. Для импорта вам необходимо подготовить документы основываясь на подобранном коде ТН ВЭД, проверьте какие вам документы нужны

Очень важно узнать пошлины по каждому коду ТН ВЭД
Подпишись на наш телеграм канал